15年IC行业代理分销 覆盖全球300+品牌
现货库存，2小时发货，提供寄样和解决方案
24小时服务热线: 0755-82539998
现货库存，2小时发货，提供寄样和解决方案
热搜关键词：
英飞凌PCS中使用的常见拓扑结构强调了对各种功率半导体的要求，从晶闸管和二极管到IGBT和MOSFET，工作电压和电流范围很广。英飞凌全面的功率半导体产品组合（见图1）可一站式满足所有功率半导体需求。它涵盖了从几千瓦到几兆瓦所有功率的交流和直流耦合拓扑(射频，无线电信号)频谱的全部性能。
英飞凌的功率半导体产品组合涵盖了各种交流和直流耦合拓扑的全部性能范围[10]
英飞凌的产品组合包括以下器件：
■ 晶闸管
晶闸管整流器通常用于大电流（>1兆瓦）、交流耦合应用。英飞凌提供各种适用于大功率、大电流整流器的晶闸管。此外，还包括一系列平板型相控晶闸管和模块。功率圆盘可双面冷却，具有出色的电流密度和可靠性。英飞凌提供带111毫米圆盘的预制风冷堆栈和带120毫米圆盘的5兆瓦水冷堆栈。预制堆栈和模块化机柜设计可简化整流器设计，缩短上市时间。T3841N18就是用于高能量设计的大电流晶闸管的一个例子。
图1.T3841N18，平板型晶闸管
■ IGBT
IGBT可用于AFE、MMC、交错降压和DAB拓扑。英飞凌广泛的IGBT产品包括一系列封装，从小功率（分立和Easy）到中等功率（EconoDUAL™和62mm）和高功率（PrimePACK™、IHV）。电解应用通常需要大直流电流，英飞凌在每个封装中都提供大电流模块。例如，IKY140N120CH7采用基于IGBT7技术的TO-247PLUS封装，电流为140A；FF800R12KE7采用类似技术，电流为800A，采用标准62mm封装。对于AFE拓扑结构，较大的二极管是有益的，因为转换器是作为整流器运行的。在此，英飞凌提供增强二极管模块，如针对整流进行优化的FF1700XTRIE5D。
对于接近低电压指令规定的1500VDC极限的解决方案，英飞凌凭借FF1800R23IE7在市场上处于领先地位。
■ SiC MOSFET
SiC MOSFET对于DAB和高开关频率应用尤其具有吸引力。英飞凌的产品组合包括各种SiC MOSFET。它已经涵盖了1500VDC的细分市场，并提供各种封装的2kV SiC模块例如，IMYH200R012M1H只有12mΩ，采用专为1500 VDC应用设计的TO-247-4-PLUS-HCC封装。在更标准的封装（如62毫米）中，英飞凌的产品系列包括1.2KV电压的2mΩ FF2MR12KM1H和2kV电压的3mΩ FF3MR20KM1H。
英飞凌还提供FF2000XTR33T2M1，这是一款3.3kV 2mΩ SiC，，采用低电感XHP2封装。该模块具有独特的3µs短路耐受能力。
英飞凌凭借其专业技术和广泛的功率半导体产品组合，成为P2H基础设施开发的重要合作伙伴。如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
什么是英飞凌场效应管？英飞凌场效应管是一种半导体器件，广泛应用于电源管理、交流电机控制、照明和汽车电子等领域。作为一种高性价比的电子元器件，其性能稳定、可靠性高，受到了越来越多企业的青睐。英飞凌场效应管的优势相较于传统的功率磁性元器件，英飞凌场效应管的优势在于其体积小、重量轻、工作效率高、可靠性好等方面。此外，英飞凌场效应管还具有低损耗、低开关噪声、高开关速度等特点，让其成为了电源管理、电机控制、...【详情+】
全球领先的半导体制造商英飞凌科技股份公司最近推出了新款650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F。该产品采用DSO-8封装，具有0.29A的典型源电流和0.7A的灌电流，专为驱动功率MOSFET和IGBT而设计。产品特点：-工作电压：最高可达+650V（相对于VS）-瞬态抗扰度：能够承受VS引脚上高达100V的负瞬...【详情+】
电话
申请样品
留言
咨询